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晶體管的歷史及重要里程碑

發(fā)布時間: 2012/9/10 17:46:30

　　1947年12月16日：威廉·邵克雷（William Shockley）、約翰·巴頓（John Bardeen）和

晶體管之父，william shockle

沃特·布拉頓（Walter Brattain）成功地在貝爾實驗室制造出第一個晶體管。

1950年：威廉·邵克雷開發(fā)出雙極晶體管（Bipolar Junction Transistor），這是現(xiàn)在通行的標準的晶體管。

1953年：第一個采用晶體管的商業(yè)化設備投入市場，即助聽器。

1954年10月18日：第一臺晶體管收音機Regency TR1投入市場，僅包含4只鍺晶體管。

1961年4月25日：第一個集成電路專利被授予羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）。最初的晶體管對收音機和電話而言已經(jīng)足夠，但是新的電子設備要求規(guī)格更小的晶體管，即集成電路。

1965年：摩爾定律誕生。當時，戈登·摩爾（Gordon Moore）預測，未來一個芯片上的晶體管數(shù)量大約每年翻一倍(10年后修正為每兩年)，摩爾定律在Electronics Magazine雜志一篇文章中公布。

1968年7月：羅伯特·諾伊斯和戈登·摩爾從仙童（Fairchild）半導體公司辭職，創(chuàng)立了一個新的企業(yè)，即英特爾公司，英文名Intel為“集成電子設備（integrated electronics）”的縮寫。

1969年：英特爾成功開發(fā)出第一個PMOS硅柵晶體管技術(shù)。這些晶體管繼續(xù)使用傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)，但是引入了新的多晶硅柵電極。

1971年：英特爾發(fā)布了其第一個微處理器4004。4004規(guī)格為1/8英寸 x 1/16英寸，包含僅2000多個晶體管，采用英特爾10微米PMOS技術(shù)生產(chǎn)。

1972年，英特爾發(fā)布了第一個8位處理器8008。

1978年，英特爾發(fā)布了第一款16位處理器8086。含有2.9萬個晶體管。

1978年：英特爾標志性地把英特爾8088微處理器銷售給IBM新的個人電腦事業(yè)部，武裝了IBM新產(chǎn)品IBM PC的中樞大腦。16位8088處理器為8086的改進版，含有2.9萬個晶體管，運行頻率為5MHz、8MHz和10MHz。8088的成功推動英特爾進入了財富(Forture) 500強企業(yè)排名，《財富(Forture)》雜志將英特爾公司評為“70年代商業(yè)奇跡之一（Business Triumphs of the Seventies）”。

1982年：286微處理器(全稱80286，意為“第二代8086”)推出，提出了指令集概念，即現(xiàn)在的x86指令集，可運行為英特爾前一代產(chǎn)品所編寫的所有軟件。286處理器使用了13400個晶體管，運行頻率為6MHz、8MHz、10MHz和12.5MHz。

1985年：英特爾386微處理器問世，含有27.5萬個晶體管，是最初4004晶體管數(shù)量的100多倍。386是32位芯片，具備多任務處理能力，即它可在同一時間運行多個程序。

1993年：英特爾·奔騰·處理器問世，含有3百萬個晶體管，采用英特爾0.8微米制程技術(shù)生產(chǎn)。

1999年2月：英特爾發(fā)布了奔騰·III處理器。奔騰III是1x1正方形硅，含有950萬個晶體管，采用英特爾0.25微米制程技術(shù)生產(chǎn)。

2002年1月：英特爾奔騰4處理器推出，高性能桌面臺式電腦由此可實現(xiàn)每秒鐘22億個周期運算。它采用英特爾0.13微米制程技術(shù)生產(chǎn)，含有5500萬個晶體管。

2002年8月13日：英特爾透露了90納米制程技術(shù)的若干技術(shù)突破，包括高性能、低功耗晶體管，應變硅，高速銅質(zhì)接頭和新型低-k介質(zhì)材料。這是業(yè)內(nèi)首次在生產(chǎn)中采用應變硅。

2003年3月12日：針對筆記本的英特爾·迅馳·移動技術(shù)平臺誕生，包括了英特爾最新的移動處理器“英特爾奔騰M處理器”。該處理器基于全新的移動優(yōu)化微體系架構(gòu)，采用英特爾0.13微米制程技術(shù)生產(chǎn)，包含7700萬個晶體管。

2005年5月26日：英特爾第一個主流雙核處理器“英特爾奔騰D處理器”誕生，含有2.3億個晶體管，采用英特爾領(lǐng)先的90納米制程技術(shù)生產(chǎn)。

2006年7月18日：英特爾®安騰®2雙核處理器發(fā)布，采用世界最復雜的產(chǎn)品設計，含有17.2億個晶體管。該處理器采用英特爾90納米制程技術(shù)生產(chǎn)。

2006年7月27日：英特爾·酷睿2雙核處理器誕生。該處理器含有2.9億多個晶體管，采用英特爾65納米制程技術(shù)在世界最先進的幾個實驗室生產(chǎn)。

2006年9月26日：英特爾宣布，超過15種45納米制程產(chǎn)品正在開發(fā)，面向臺式機、筆記本和企業(yè)級計算市場，研發(fā)代碼Penryn，是從英特爾酷睿微體系架構(gòu)派生而出。

發(fā)布英特爾酷睿i7處理器

2007年1月8日：為擴大四核PC向主流買家的銷售，英特爾發(fā)布了針對桌面電腦的65納米制程英特爾酷睿2四核處理器和另外兩款四核服務器處理器。英特爾酷睿2四核處理器含有5.8億多個晶體管。

2007年1月29日：英特爾公布采用突破性的晶體管材料即高-k柵介質(zhì)和金屬柵極。英特爾將采用這些材料在公司下一代處理器——英特爾酷睿2雙核、英特爾酷睿2四核處理器以及英特爾至強系列多核處理器的數(shù)以億計的45納米晶體管或微小開關(guān)中用來構(gòu)建絕緣“墻”和開關(guān)“門”，研發(fā)代碼Penryn。2010年11月，NVIDIA發(fā)布全新的GF110核心，含30億個晶體管，采用先進的40納米工藝制造。

含30億晶體管的GF110核心

2011年05月05 日：英特爾成功開發(fā)世界首個3D晶體管，稱為tri-Gate。
本文出自：億恩科技【www.liangzihuyu.com】

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